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不准的。
因为手机内部不具备检测电磁辐射的原件,所以数据无非就是随机生成的,顶多可以用信号接收器检测一下信号噪波,就算是这也不是辐射数据。
一般来说,只要磁场不是频繁变动(如下图所示,近似一条直线)对身体基本没有影响。如果是下面右图这种可要小心了,说明你环境中磁场来回变化,会导致电磁辐射产生,长期在这种环境中会损害健康!
大量的科学研究结果表明,微波能量转化为非致热效应的那部分能量对人体危害更为严重。英国的实验报告指出,老鼠以手机微波照射五分钟就会产生DNA病变,对人类的危害可想而知。
鉴于手机辐射对人体造成危害的共识,世界各国均对手机辐射制定了安全标准,英核嫌国政府明令禁止16岁以下未成年人使用手机;日本政府规定出售手机必须连同手机防辐射装置一同出售等等。
我国手机用户已近二亿部,相当数量的手机辐射严重。为保护数亿国民的健康差历,谢教授呼吁政府虚氏搜有关部门尽快颁布我国的手机防辐射安全标准并认真执行。
一,实验仪器
1.螺线管磁场测试仪
2.长直螺线管磁场装置
3.换向开关
二,实验原理
1.霍尔效应
当在半导体元件1,2两端加上电压,同时有一个
磁场B垂直穿过元件的宽面时,在培胡3,4两端产生
电位差,这种现象为霍尔效应.
mv
Z
1
Y
B
X
I
v
2
4
3
1)载流子为空穴(P型)
2)载流子为电子(N型)
UH
B
I
+
+
+
+
-
-
-
-
+
UH
B
I
+
-
-
-
+
+
-
2.定向运动的载流子受力
1)洛仑兹力
2)静电作用力
二力平衡就会形成稳定的霍耳电势差
v
q
fB
fE
3.附加电压
1)不等位电势差V0:
特点:与磁场B换向无关,随电流换向而换向
(+IH,+B)→+V0 (+IH,-B)→+V0
(-IH, +B)→-V0 (-IH,- B)→-V0
IH
mV
1
3
2
4
IH
mV
1
3
2
4
2)厄廷好森(Etinghausen)效应温差电势差Vt:
特点:随磁场B和电流换向而换向
(+IH,+B)→+Vt (+IH,-B)→-Vt
(-IH, +B)→-Vt (-IH, -B)→+Vt
IH
mV
1
3
2
4
3)能斯脱(Nernst)效应热流电势差VP:
特点:随磁场B换向而换向,与电流换向无关
(+IH,+B)→+Vp (+IH,-B)→-Vp
(-IH, +B)→+Vp (-IH, -B)→-Vp
1
3
2
4
mV
IH
R1 T1
R2 T2
1
3
2
4
mV
IH
R1 T1
R2 T2
4)里纪-勒杜克(Righi-leduc)效应附加温差电势差Vs:
能斯脱效应产生的热流电势燃洞差因热扩散载流子的速度不一样,也会发生厄廷好森效应,于是产生一个附加温差电势差
特配段拦点:随磁场B换向而换向,与电流换向无关
(+IH,+B)→+Vs (+IH,-B)→-Vs
(-IH, +B)→+Vs (-IH, -B)→-Vs
IH
mV
1
3
2
4
1
3
2
4
mV
IH
R1 T1
R2 T2
4.测量方法
根据附加电压随磁场B和电流换向而各自呈现的
特点加以消除
(+IH,+B):V1=+VH+V0+Vt+V p+Vs
(-IH, +B):V2=-VH-V0-Vt+V p+Vs
(-IH, -B): V3=+VH-V0+Vt-V p-Vs
(+IH,-B): V4= -VH+V0-Vt-V p-Vs
测量表达式为:
三,实验步骤
1. 仪器连接�
2. 调节螺线管的励磁电流IM (或IB),调节霍耳元件的工作电流IS (或IH)�
3. 测量螺线管中点的磁场
4. 测量螺线管中心轴上各点的磁场
四,注意事项
1.绝不允许将测试仪上的励磁电流"IM输出"错接到"工作电流"出,也不可错接到"霍耳电压"处,否则,一旦通电,霍耳元件立即烧毁.
2.霍耳元件质脆,引线的接头细小,容易损坏,旋进旋出时,操作动作要轻缓.
3.V1,V2,V3,V4本身还含有"+","-"号,测量记录时不要忘记.
4.开启和关闭电源前都必须将"工作电流","励磁电流"调至零.
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